Des innovations dans le domaine des semi-conducteurs reçoivent le prix français Étoile de l’Europe

Les réalisations d’un consortium soutenu par l’UE dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs reçoivent la reconnaissance du gouvernement français.

Le gouvernement français a décerné au projet REFERENCE, financé par l’UE, le prix Étoile de l’Europe pour sa contribution majeure au domaine des télécommunications. Ce prix a été attribué en reconnaissance des innovations apportées par le projet dans le domaine de la technologie du silicium sur isolant pour les applications de radio-fréquence de haute performance.

La ministre française de l’enseignement supérieur, de la recherche et de l’innovation, Frédérique Vidal, a décerné le prix au consortium REFERENCE, saluant «l’émergence d’un réseau européen fort, qui conforte le rôle de la France en tant que moteur de l’autonomie technologique de l’Europe», selon un communiqué de presse mis en ligne sur le site du concepteur et fabricant français de semi-conducteurs Soitec. «Les réalisations communes stimulent la prochaine génération de technologies de semi-conducteurs, qui permettront de nouvelles solutions pour la 5G et ouvriront la voie à d’autres possibilités de collaboration et d’embauche [sic] en Europe», a déclaré Frédérique Vidal dans le communiqué de presse. Emmenée par Soitec, l’équipe pluridisciplinaire REFERENCE comprenait des fabricants de semi-conducteurs, des sociétés de télécommunications, des sociétés aérospatiales, des universités et des organismes de recherche de cinq pays européens: Allemagne, Belgique, Irlande, France et Portugal.Le projet REFERENCE a été soutenu par Electronic Components and Systems for European Leadership Joint Undertaking (ECSEL JU), un partenariat public-privé piloté par l’UE qui finance la recherche et l’innovation en nanoélectronique et en systèmes informatiques embarqués et intelligents. «Notre participation réussie et continue au programme européen ECSEL nous permet de maintenir notre position de leader dans le domaine des télécommunications», a commenté Paul Boudre, directeur général de Soitec, dans le même communiqué. «Cela démontre notre capacité à traduire les innovations dans le domaine des semi-conducteurs en écosystèmes à part entière et à les adapter aux niveaux d’application du consommateur final. Nous poursuivons les nouvelles initiatives d’ECSEL, en particulier BEYOND5, afin d’améliorer encore l’adoption de nos technologies, et nous restons attachés à l’objectif de l’Europe de favoriser la durabilité environnementale et la souveraineté technologique.»

Le projet a contribué à la réalisation de l’objectif d’ECSEL JU, qui est d’accroître la capacité de l’Europe à fabriquer des semi-conducteurs et des systèmes intelligents. Comme l’indique le communiqué de presse, Bert De Colvenaer, directeur exécutif de l’ECSEL JU, a fait l’éloge du consortium, soulignant que: «C’est exactement ce dont nous rêvons à l’ECSEL JU: une série de projets, sélectionnés indépendamment parmi les appels à propositions sur la base de la plus haute excellence, du plus grand impact et d’une mise en œuvre parfaite, qui s’appuient les uns sur les autres pour fournir des technologies “Made in Europe” uniques et cruciales appliquées à l’échelle mondiale. Nous sommes très honorés que l’un de nos projets ait reçu cette récompense: cela prouve une fois de plus que “penser ensemble, travailler ensemble et investir ensemble” à l’échelle européenne porte réellement ses fruits!»

La technologie révolutionnaire développée par REFERENCE (Rf Engineered substrates to FostER fEm performaNCE) trouve des applications dans les domaines de la téléphonie cellulaire, de l’automobile et de l’aviation. Les réalisations du projet contribuent à faire progresser la connectivité de nouvelle génération compatible avec les normes 4G+ et 5G. Elles ouvrent de surcroît la voie à des systèmes de transport plus sûrs et plus interactifs en Europe. Le projet, d’une durée de 4 ans, s’est achevé en 2019.

Pour plus d’informations, veuillez consulter:

site web du projet REFERENCE


date d'une dernière modification: 2021-01-18 17:15:01
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